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電力電子器件的分類(lèi)及優(yōu)缺點(diǎn)
發(fā)布時(shí)間：
2022-02-08 15:09
一、分類(lèi)：
按照電力電子器件能夠被控制電路信號(hào)所控制的程度分類(lèi)：
1.半控型器件，例如晶閘管；
2.全控型器件，例如GTO（門(mén)極可關(guān)斷晶閘管）、GTR（電力晶體管），MOSFET（電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）；
3.不可控器件，例如電力二極管；
按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號(hào)的性質(zhì)分類(lèi)：
1.電壓驅(qū)動(dòng)型器件，例如IGBT、MOSFET、SITH（靜電感應(yīng)晶閘管）；
2.電流驅(qū)動(dòng)型器件，例如晶閘管、GTO、GTR；
根據(jù)驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號(hào)波形分類(lèi)：
1.脈沖觸發(fā)型，例如晶閘管、GTO；
2.電子控制型，例如GTR、MOSFET、IGBT；
按照電力電子器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況分類(lèi)：
1.雙極型器件，例如電力二極管、晶閘管、GTO、GTR；
2.單極型器件，例如MOSFET、SIT；
3.復(fù)合型器件，例如MCT（MOS控制晶閘管）和IGBT；
二、優(yōu)缺點(diǎn)
1、電力二極管：結(jié)構(gòu)和原理簡(jiǎn)單，工作可靠；
2、晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中最高；有普通型（KP）、快速型（KK）、雙向型（KS）、高頻型（KA\KG）等
3、IGBT：開(kāi)關(guān)速度高，開(kāi)關(guān)損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)功率小；缺點(diǎn)：開(kāi)關(guān)速度低于電力MOSFET,電壓、電流容量不及GTO
4、GTR：耐壓高，電流大，開(kāi)關(guān)特性好，通流能力強(qiáng)，飽和壓降低；缺點(diǎn)：開(kāi)關(guān)速度低，為電流驅(qū)動(dòng)，所需驅(qū)動(dòng)功率大，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，存在二次擊穿問(wèn)題
5、GTO：電壓、電流容量大，適用于大功率場(chǎng)合，具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，其通流能力很強(qiáng)；缺點(diǎn)：電流關(guān)斷增益很小，關(guān)斷時(shí)門(mén)極負(fù)脈沖電流大，開(kāi)關(guān)速度低，驅(qū)動(dòng)功率大，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，開(kāi)關(guān)頻率低
6、MOSFET：開(kāi)關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動(dòng)功率小且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，工作頻率高，不存在二次擊穿問(wèn)題；缺點(diǎn)：電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過(guò)10kW的電力電子裝置。
7、高壓硅堆：由多只高壓整流二極管（硅粒）串聯(lián)組成，是高壓整流中將交流變成直流必不可少的原件。
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